igbt的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。

对于很多东西来讲，它们的全称太过于复杂，所以为了更方便记忆，经常使用简称。igbt的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就是绝缘栅双极型晶体管的意思。

从功能方面来说，igbt相当于是一个电路开关，最大的优点就是能稳定的控制住电压，耐压性强，因此经常用在电压几十到几百伏的强电流上，且它不是用机械按钮控制的，而是由计算机控制的。

igbt综合了两种器件的优点，所以在使用的时候功率较小，饱和压低，所以经常在直流电压为600伏特或者是以上的变流系统中使用，常见的有交流电机、开关电源、变频器等等。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600伏及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

1、环境温度。环境温度高，将延长IGBT管的判断时间，使同一桥臂的上、下两管在交替导通过程中的死区变窄，甚至导致直通。这就是在夏天，模块烧坏的故障率偏高的原因；

2、变频器的输出电流过大。变频器的输出电流大，也会延长IGBT管的关断时间，导致直通；

3、驱动不足。驱动不足也即驱动电压偏低，容易使IGBT管进入放大状态，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管将迅速烧毁。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

静态特性：ＩＧＢＴ 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。ＩＧＢＴ 的伏安特性是指以栅源电压Ｕｇｓ 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ｕｇｓ 的控制，Ｕｇｓ 越高， Ｉｄ 越大。它与ＧＴＲ 的输出特性相似。也可分为饱和区１ 、放大区２ 和击穿特性３ 部分。在截止状态下的ＩＧＢＴ ，正向电压由Ｊ２ 结承担，反向电压由Ｊ１结承担。如果无Ｎ＋缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入Ｎ＋缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了ＩＧＢＴ 的某些应用范围。